參數(shù)資料
型號: FF800R12KE3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Technische Information / technical information
中文描述: 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-10
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 152K
代理商: FF800R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
Technische Information / technical information
FF800R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
I
F
= f(V
F
)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
[V]
I
C
Tvj=25°C
Tvj=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
V
F
[V]
I
F
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
5 (8)
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
FFA10U40DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA120UP60DN LAN Tester RoHS Compliant: NA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FF800R17KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.15KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules
FF800R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: