參數(shù)資料
型號(hào)： FF800R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-10
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 152K
代理商： FF800R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
I
C
= f(V
CE
)
V
GE
= 15V
Technische Information / technical information
FF800R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
output characteristic (typical)
T
vj
= 125°C
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
I
C
= f(V
CE
)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
V
CE
[V]
I
C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
I
C
Vge=19V
Vge=17V
Vge=15V
Vge=13V
Vge=11V
Vge=9V
4 (8)
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
FFA10U40DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA120UP60DN LAN Tester RoHS Compliant: NA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FF800R17KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.15KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:IGBT-modules
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