參數(shù)資料
型號(hào)： FF800R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-10
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 152K
代理商： FF800R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FF800R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
V
GE
=±15V, R
gon
=3,3 , R
goff
=0,39 , V
CE
=600V, T
vj
=125°C
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
V
GE
=±15V, I
C
=800A, V
CE
=600V, T
vj
=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
I
C
[A]
E
Eon
Eoff
Erec
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
R
G
[ ]
E
Eon
Eoff
Erec
6 (8)
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
FFA10U40DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA120UP60DN LAN Tester RoHS Compliant: NA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF800R12KF4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R12KL4C 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.15KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules
FF800R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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