參數(shù)資料
型號(hào)： FF800R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-10
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 152K
代理商： FF800R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FF800R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
0,60
-
μs
-
0,66
-
μs
-
0,23
-
μs
-
0,22
-
μs
-
0,82
-
μs
-
0,96
-
μs
-
0,15
-
μs
-
0,18
-
μs
-
2,2
2,8
V
-
2
-
V
-
260
-
A
-
400
-
A
-
37
-
μC
-
90
-
μC
-
9
-
mJ
-
24
-
mJ
-
3200
-
A
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
-
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,3 , T
vj
= 125°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
SC
E
off
I
C
= 800A, V
CC
= 600V, L = 90nH
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,39 , T
vj
= 125°C
I
C
= 800A, V
CC
= 600V
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,39 , T
vj
=25°C
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,39 ,T
vj
= 125°C
E
on
I
C
= 800A, V
CC
= 600V, L = 90nH
-
nH
stray inductance module
Modulindiktivitt
L
CE
-
20
SC data
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
CE
· di/dt
Kurzschlussverhalten
t
P
10μs, V
GE
15V, T
Vj
125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
0,18
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 3600A/μs
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 3600A/μs
I
C
= 800A, V
CC
= 600V
t
d,off
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,39 , T
vj
=25°C
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,39 ,T
vj
= 125°C
m
Charakteristische Werte / characteristic values
-
-
t
f
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,3
T
vj
=25°C
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,3 , T
vj
= 125°C
-
t
d,on
I
C
= 800A, V
CC
= 600V
t
r
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
V
F
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC′/EE′
T
c
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 3600A/μs
Durchlassspannung
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Diode Wechselrichter / diode inverter
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,3 , T
vj
= 125°C
I
C
= 800A, V
CC
= 600V
V
GE
=±15V, R
Gon
=3,3
T
vj
=25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
160
125
-
mJ
-
mJ
2 (8)
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
FFA10U40DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA120UP60DN LAN Tester RoHS Compliant: NA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF800R12KF4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R12KL4C 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.15KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules
FF800R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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