參數(shù)資料
型號(hào)： FF800R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-10
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 152K
代理商： FF800R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FF800R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
R
thJC
-
-
0,016
K/W
-
-
0,032
K/W
-
-
0,032
K/W
-
-
0,064
K/W
-
0,006
-
K/W
-
0,012
-
K/W
R
thCK
T
vj op
terminal connection torque
M
pro Modul / per module
pro Zweig/ per arm;
Paste
/
grease
=1W/m*K
operation temperature
maximum junction temperature
Lagertemperatur
storage temperature
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Nm
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Nm
8
-
10
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
°C
T
stg
-40
-
125
°C
150
-
-
-40
-
125
°C
Betriebstemperatur
Thermische Eigenschaften / thermal properties
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
übergangs Wrmewiderstand
T
vj max
Al
2
O
3
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
M
4,25
Innere Isolation
internal insulation
Schraube / screw M5
Anschlüsse / terminal M4
comperative tracking index
case, see appendix
Gehuse, siehe Anlage
CTI
>400
-
M
-
5,75
1,7
g
weight
2,3
Nm
G
1500
Gewicht
Anschlüsse / terminal M8
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode/Diode, DC, pro Modul / per module
Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm
32
mm
creepage distance
Kriechstrecke
20
mm
clearance
Luftstrecke
3 (8)
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
FFA10U40DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA120UP60DN LAN Tester RoHS Compliant: NA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF800R12KF4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R12KL4C 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.15KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules
FF800R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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