參數(shù)資料
型號(hào)： FF200R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 295 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： FF200R12KE3
6
Technische Information / technical information
FF200R12KE3
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Mark Münzer
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-4-8
revision: 3.1
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (I)
Róò = 3,6 , V = 600 V
I [A]
E
0
50
100
150
200
250
300
350
400
25
20
15
10
5
0
Etê, TY = 125°C
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (R)
I = 200 A, V = 600 V
R []
E
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
25
20
15
10
5
0
Etê, TY = 125°C
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
Zúì : Diode
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,00378
0,00001187
2
0,01136
0,002364
3
0,10088
0,02601
4
0,08398
0,06499
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PDF描述
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