參數(shù)資料
型號(hào)： FF200R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 295 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： FF200R12KE3
2
Technische Information / technical information
FF200R12KE3
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Mark Münzer
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-4-8
revision: 3.1
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TY = 25°C
V￠
1200
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
200
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t = 1 ms
I￠
400
A
Grenzlastintegral
I2t - value
V = 0 V, t = 10 ms, TY = 125°C
I2t
7800
A2s
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
1,65
1,65
max.
2,15
Durchlassspannung
forward voltage
I = 200 A, V = 0 V
I = 200 A, V = 0 V
V
V
V
TY = 25°C
TY = 125°C
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I = 200 A, - di/dt = 2000 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
I￠
150
190
A
A
TY = 25°C
TY = 125°C
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I = 200 A, - di/dt = 2000 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
Q
20,0
36,0
μC
μC
TY = 25°C
TY = 125°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I = 200 A, - di/dt = 2000 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
Etê
9,00
17,0
mJ
mJ
TY = 25°C
TY = 125°C
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
Rúì
0,20
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF300R17KE3 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode
FF400R12KE3 IGBT-inverter
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參數(shù)描述
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FF200R12KE4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF200R12KF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048
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FF200R12KL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048
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