參數(shù)資料
型號： FF600R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Modules
中文描述： 850 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-10
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 152K
代理商： FF600R12KE3
I
C, nom
I
C
600
850
A
A
min.
typ.
max.
-
1,7
2,15
V
-
2
t.b.d.
V
-
nA
-
5
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
V
GE(th)
C
ies
gate threshold voltage
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
Grenzlastintegral
I2t value
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V...+15V; V
CE=
...V
Q
G
-
1200
A
V
nF
43
-
5,8
-
μC
t
p
= 1ms, T
c
= 80°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
P
tot
1200
T
c
= 25°C; Transistor
I
CRM
DC forward current
+/- 20
2,8
V
GES
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
I
F
600
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
T
vj
= 25°C
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
V
CEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: SM TM; Christoph Lübke
Technische Information / technical information
FF600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
1200
V
vorlufige Daten
preliminary data
kV
75
k A2s
t
p
= 1ms
I
FRM
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
I2t
V
CES
A
5
5,8
2,5
V
ISOL
A
kW
V
6,5
date of publication: 2002-07-30
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
collector emitter satration voltage
I
C
= 600A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C,
I
C
= 600A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C,
Gate Schwellenspannung
I
C
= 24mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C,
Eingangskapazitt
input capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
revision: 2.0
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
C
res
collector emitter cut off current
I
CES
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C, V
CE
= 1200V
-
mA
-
nF
-
2
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
-
Kollektor Emitter Reststrom
-
400
1 (8)
DB_FF600R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF800R12KE3 Technische Information / technical information
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復(fù)功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
FFA10U40DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復(fù)功率整流器)
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參數(shù)描述
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