參數(shù)資料
型號(hào)： FF200R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 295 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： FF200R12KE3
5
Technische Information / technical information
FF200R12KE3
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Mark Münzer
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-4-8
revision: 3.1
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 200 A, V = 600 V
R []
E
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Eóò, TY = 125°C
Eó, TY = 125°C
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,00228
0,00001187
2
0,00683
0,002364
3
0,06045
0,02601
4
0,05044
0,06499
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 3,6 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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PDF描述
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