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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FF150R12KE3G |
| 廠(chǎng)商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode |
| 中文描述： | 225 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | FF150R12KE3G |
5
Technische Information / technical information
FF150R12KE3G
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Mark Münzer
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-6-21
revision: 3.2
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 150 A, V = 600 V
R []
E
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Eóò, TY = 125°C
Eó, TY = 125°C
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,00304
0,00001187
2
0,00911
0,002364
3
0,0806
0,02601
4
0,06725
0,06499
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 4,8 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
350
300
250
200
150
100
50
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
TY = 25°C
TY = 125°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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