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參數(shù)資料
| 型號： | FF150R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode |
| 中文描述： | 225 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | FF150R12KE3G |
4
Technische Information / technical information
FF150R12KE3G
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Mark Münzer
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-6-21
revision: 3.2
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
V = 15 V
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
TY = 25°C
TY = 125°C
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
TY = 125°C
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
V = 19V
V = 17V
V = 15V
V = 13V
V = 11V
V = 9V
übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
V = 20 V
V [V]
I
5
6
7
8
9
10
11
12
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
TY = 25°C
TY = 125°C
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
Eóò = f (I), Eó = f (I)
V = ±15 V, Róò = 4,8 , Ró = 4,8 , V = 600 V
I [A]
E
0
50
100
150
200
250
300
60
50
40
30
20
10
0
Eóò, TY = 125°C
Eó, TY = 125°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF1N30HS60DD | 30A, 600V Stealth Diode |
| FF200R12KE3 | IGBT-Module |
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| FF600R12KE3 | IGBT-Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FF150R12KE3G_B2,C-SERIE | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FF150R12KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FF150R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
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