- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375791 > FF150R12KE3G (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FF150R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode |
| 中文描述： | 225 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | FF150R12KE3G |
2
Technische Information / technical information
FF150R12KE3G
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Mark Münzer
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-6-21
revision: 3.2
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TY = 25°C
V￠
1200
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
150
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t = 1 ms
I￠
300
A
Grenzlastintegral
I2t - value
V = 0 V, t = 10 ms, TY = 125°C
I2t
4600
A2s
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
1,65
1,65
max.
2,15
Durchlassspannung
forward voltage
I = 150 A, V = 0 V
I = 150 A, V = 0 V
V
V
V
TY = 25°C
TY = 125°C
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I = 150 A, - di/dt = 1500 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
I￠
105
135
A
A
TY = 25°C
TY = 125°C
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I = 150 A, - di/dt = 1500 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
Q
15,0
28,0
μC
μC
TY = 25°C
TY = 125°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I = 150 A, - di/dt = 1500 A/μs
V = 600 V
V = -15 V
Etê
7,00
12,0
mJ
mJ
TY = 25°C
TY = 125°C
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
Rúì
0,30
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
0,06
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF1N30HS60DD | 30A, 600V Stealth Diode |
| FF200R12KE3 | IGBT-Module |
| FF300R17KE3 | 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode |
| FF400R12KE3 | IGBT-inverter |
| FF600R12KE3 | IGBT-Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF150R12KE3G_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF150R12KE3G_B2,C-SERIE | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FF150R12KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF150R12KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF150R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。