型號(hào): | FDZ206P |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
中文描述: | 13 A, 20 V, 0.0095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | ULTRA THIN, BGA-30 |
文件頁(yè)數(shù): | 6/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 214K |
代理商: | FDZ206P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDZ208P | P-Channel 30 Volt PowerTrench |
FDZ209N | 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET |
FDZ2551N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET |
FDZ2552P | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET |
FDZ2553NZ | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDZ206P_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDZ208P | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDZ208P_Q | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDZ209N | 功能描述:MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDZ209N_Q | 功能描述:MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |