參數(shù)資料
型號： FDZ206P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
中文描述： 13 A, 20 V, 0.0095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-30
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 214K
代理商： FDZ206P
FDZ206P Rev. D1 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關PDF資料
PDF描述
FDZ208P P-Channel 30 Volt PowerTrench
FDZ209N 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
FDZ2551N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
FDZ2552P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
FDZ2553NZ Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDZ206P_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ208P 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ208P_Q 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ209N 功能描述:MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ209N_Q 功能描述:MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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