參數(shù)資料
型號： FDZ206P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
中文描述： 13 A, 20 V, 0.0095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-30
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： FDZ206P
FDZ206P Rev. D1 (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -13A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
100
-
D
,
DC
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 119
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
10s
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 119°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 119 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDZ208P P-Channel 30 Volt PowerTrench
FDZ209N 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
FDZ2551N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
FDZ2552P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
FDZ2553NZ Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
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參數(shù)描述
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