參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6699S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述： 21000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 526K
代理商： FDS6699S
5
www.fairchildsemi.com
FDS6699S Rev. D
F
Typical Characteristics
(continued)
SyncFET Schottky Body Diode Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in paral-
lel with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar char-
acteristics to a discrete external Schottky diode in parallel with a
MOSFET. Figure 12 shows the reverse recovery characteristic
of the FDS6699S.
Figure 12. FDS6699S SyncFET body
diode reverse recovery characteristic.
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
Figure 13. SyncFET body diode reverse leakage
versus drain-source voltage and temperature.
C
TIME : 12.5ns/div
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
T
A
= 100
o
C
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PDF描述
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