參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6699S
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述： 21000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 526K
代理商： FDS6699S
4
www.fairchildsemi.com
FDS6699S Rev. D
F
Typical Characteristics
(continued)
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 21A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
100ms
1s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
°
C/W
T
A
= 25
°
C
10ms
10s
100us
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
R
θ
JA
= 125
°
C/W
θ
JA
(t) = r(t) * R
JA
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
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PDF描述
FDS6812 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6812A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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FDS6815 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
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