參數(shù)資料
型號(hào)： FDMS8672S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench SyncFET 30V, 35A, 5mohm
中文描述： 17 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-240AA
封裝： ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 392K
代理商： FDMS8672S
F
S
T
FDMS8672S Rev.C1
www.fairchildsemi.com
6
SyncFET Schottky body diode
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MoSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
with a MOSFET. Figure 14 shows the reverses recovery
characteristic of the FDMS8672S.
TIME: 12.5nS/Div
C
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
Typical Characteristics
(continued)
Figure 14. FDMS8672S SyncFET Body Diode
Reverse Recovery Characteristics
Figure 15. SyncFET Body Diode Reverse
Leakage vs Drain to Source Voltage
0
5
10
15
20
25
30
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
T
J
= 100
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
V
DS
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
D
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMS8674 Diode; Antenna switching; VR (V): 30; IF (mA): 100; Pd (mW): 150; rf (ohm) max: 2.5typ 1.5; Condition IF at rf (mA): 2.0 10; Condition f at rf (MHz): 100; VF (V) max: 1; Condition IF at VF (mA): 10; C (pF) max: 0.31; Condition VR at C (V): 1; Condition f at C (MHz): 1; Package: SFP
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參數(shù)描述
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