參數(shù)資料
型號(hào)： FDD26AN06A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 7 A, 60 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 609K
代理商： FDD26AN06A0
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD26AN06A0 Rev. A
F
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
Capability
Figure 7. Transfer Characteristics
Figure 8. Saturation Characteristics
Figure 9. Drain to Source On Resistance vs Drain
Current
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
J
= MAX RATED
T
C
= 25
o
C
SINGLE PULSE
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
OPERATION IN THIS
10
μ
s
1ms
DC
100
μ
s
10ms
1
10
100
0.01
0.1
1
300
10
I
A
,
t
AV
, TIME IN AVALANCHE (ms)
STARTING T
J
= 25
o
C
STARTING T
J
= 150
o
C
= (L)(I
AS
)/(1.3*RATED BV
DSS
- V
DD
)
If R
t
AV
= 0
AS
*R)/(1.3*RATED BV
DSS
- V
DD
) +1]
t
0
20
40
60
80
100
3
4
5
6
7
8
9
I
D
,
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DD
= 15V
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
I
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 5V
V
GS
= 20V
V
GS
= 7V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 10V
V
GS
= 6V
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
0
10
20
30
40
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= 10V
D
)
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
O
V
GS
= 10V, I
D
= 36A
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDD3005F 制造商:ELM 功能描述:FILTER ELMEC
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