采購(gòu)需求
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                      | 型號(hào): | FDD2612 | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | 
| 中文描述: | 4.9 A, 200 V, 0.72 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | 
| 封裝: | DPAK-3 | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 5/5頁(yè) | 
| 文件大?。?/td> | 110K | 
| 代理商: | FDD2612 | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| FDD2670 | XTAL MTL T/H HC49/US | 
| FDD26AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET | 
| FDD306P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | 
| FDD3570 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | 
| FDD3580 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| FDD2670 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDD26AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 36A 26 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDD26AN06A0_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 36A, 26m?? | 
| FDD26AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench 60V 36A 26mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDD3 | 制造商:Cooper Crouse-Hinds 功能描述: | 
| *型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 | 
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