參數(shù)資料
型號(hào)： FDD2670
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： XTAL MTL T/H HC49/US
中文描述： 3.6 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： FDD2670
November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD2670 Rev C1(W)
FDD2670
200V N-Channel PowerTrench
MOSFET
General Description
This
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers.
N-Channel
MOSFET
has
been
designed
These MOSFETs feature faster switching and lower
gate charge than other MOSFETs with comparable
RDS
(ON)
specifications.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive
(even at very high frequencies), and DC/DC power
supply designs with higher overall efficiency.
Features
3.6 A, 200 V.
R
DS(ON)
= 130 m
@ V
GS
= 10 V
Low gate charge
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
High power and current handling capability
G
S
D
TO-252
S
D
G
Absolute Maximum Ratings
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
DSS
Drain-Source Voltage
V
GSS
Gate-Source Voltage
I
D
Drain Current
– Continuous
Drain Current
– Pulsed
Maximum Power Dissipation @ T
C
= 25
°
C
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Ratings
200
±
20
3.6
20
70
3.2
1.3
3.2
-55 to +150
Units
V
V
A
(Note 1)
(Note 1)
@ T
A
= 25
°
C
@ T
A
= 25
°
C
(Note 1a)
P
D
(Note 1b)
W
(Note 3)
V/ns
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
1.8
96
°
C/W
°
C/W
(Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
FDD2670
FDD2670
Reel Size
13’’
Tape width
16mm
Quantity
2500 units
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD26AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDD3570 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3580 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3670 RECTIFIER STANDARD SINGLE 1A 100V 100 30A-ifsm 5uA-ir 1V-vf DO-41 5K/AMMO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD26AN06A0 功能描述:MOSFET 60V 36A 26 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FDD3 制造商:Cooper Crouse-Hinds 功能描述:
FDD300004 功能描述:OSC 133MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類(lèi)別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類(lèi)型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無(wú)引線(xiàn)（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱(chēng):SER3790DKR
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