參數(shù)資料
型號： FDC6392S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 2200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 193K
代理商： FDC6392S
FDC6392S Rev C(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
-3.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0
1
2
3
4
5
6
- I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -2.2A
V
GS
= -4.5V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -1.1A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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FDC6401N-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:20V 70 mOhm Dual N-Ch 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6
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