參數(shù)資料
型號： FDC642
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
中文描述： P通道2.5V的指定的PowerTrench MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： FDC642
Absolute Maximum Ratings
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Ratings
Units
V
DSS
V
GSS
I
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Power Dissipation for Single Operation
-20
±
8
-4
-20
1.6
0.8
V
V
A
- Continuous
- Pulsed
(Note 1a)
(Note 1)
P
D
(Note 1a)
W
(Note 1b)
T
J
, T
stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
78
30
°
C/W
°
C/W
(Note 1)
Package Outlines and Ordering Information
Device Marking
.642
Device
FDC642P
Reel Size
7
’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
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3
5
6
4
1
2
D
D
D
S
D
G
SuperSOT -6
TM
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC642P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
FDC6432SH 12V P-Channel PowerTrench MOSFET, 30V PowerTrench SyncFET
FDC645 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDC645N N-Channel PowerTrench MOSFET
FDC6506 Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDC6420C 功能描述:MOSFET 20V/-20V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6420C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
FDC6420C_Q 功能描述:MOSFET 20V/-20V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC642P 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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