參數(shù)資料
型號(hào)： FDC638
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： P溝道MOSFET的2.5V的指定PowerTrenchTM
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 240K
代理商： FDC638
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
-6 (FS PKG Code 31, 33)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC638P P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6392S 20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDC6401N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC640P P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6420 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC638APZ 功能描述:MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC638H 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
FDC638P 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC638P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6
FDC638P_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET
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