參數(shù)資料
型號： FDC638
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： P溝道MOSFET的2.5V的指定PowerTrenchTM
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： FDC638
FDC638P Rev.B
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.3
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
3
10
20
50
100
200
400
1000
2500
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
GS
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
I = -4.5A
D
-15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0.01
0.05
0.3
1
5
30
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
RDS(ON) LIMIT
D
A
T = 25°C
DC
1s
100ms
10ms
1ms
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R =156 °C/W
JA
100us
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =156°C/W
T = 25°C
A
θ
JA
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 156°C/W
θ
JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
JA
JA
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
TrThermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
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PDF描述
FDC638P P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6392S 20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDC6401N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC640P P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6420 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
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參數(shù)描述
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