參數(shù)資料
型號(hào)： FDC637AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 6200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 240K
代理商： FDC637AN
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT -6 (FS PKG Code 31, 33)
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC637BNZ N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 6.2A, 24mヘ
FDC638APZ P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET -20V, -4.5A, 43mohm
FDC638 P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC638P P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6392S 20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDC637AN_F095 功能描述:MOSFET 2.5V N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC637BNZ 功能描述:MOSFET 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC638 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC638APZ 功能描述:MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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