參數(shù)資料
型號： FDC5612
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 4300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： FDC5612
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT -6 (FS PKG Code 31, 33)
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET(P溝道PowerTrench MOS場效應(yīng)管)
FDC5614 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDC6000NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6020C Complementary PowerTrench MOSFET
FDC602P P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET(門限電壓2.5V的P溝道PowerTrench指定MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC5612 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6
FDC5612_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDC5612_F095 功能描述:MOSFET 60V 4.3A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC5612NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin SuperSOT T/R
FDC5614 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*