參數(shù)資料
型號(hào)： FDC5612
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 4300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 244K
代理商： FDC5612
F
FDC5612 Rev. C
Typical Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 4.3A
V
GS
= 10V
0
4
8
12
16
20
1
2
3
4
5
6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
4
8
12
16
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
10V
5.0V
4.5V
6.0V
8.0V
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 2.2A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET(P溝道PowerTrench MOS場效應(yīng)管)
FDC5614 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDC6000NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6020C Complementary PowerTrench MOSFET
FDC602P P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET(門限電壓2.5V的P溝道PowerTrench指定MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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FDC5612_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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FDC5612NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin SuperSOT T/R
FDC5614 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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