參數(shù)資料
型號： FDC602P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET(門限電壓2.5V的P溝道PowerTrench指定MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 5500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 246K
代理商： FDC602P
October 2000
PRELIMINARY
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC602P Rev B(W)
FDC602P
P-Channel 2.5V PowerTrench
Specified MOSFET
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged
gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
applications with a wide range of gate drive voltage
(2.5V – 12V).
Applications
Battery management
Load switch
Battery protection
Features
–5.5 A, –20 V
R
DS(ON)
= 0.035
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS(ON)
= 0.050
@ V
GS
= –2.5 V
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
D
D
D
S
D
G
SuperSOT -6
6
5
4
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
DSS
Drain-Source Voltage
V
GSS
Gate-Source Voltage
I
D
Drain Current
– Continuous
– Pulsed
Maximum Power Dissipation
P
D
Ratings
–20
±
12
–5.5
–20
1.6
0.8
–55 to +150
Units
V
V
A
(Note 1a)
(Note 1a)
W
(Note 1b)
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
78
30
°
C/W
°
C/W
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
.602
FDC602P
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC602 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6036P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDC604 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDC604P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDC606P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC602P_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET
FDC602P_F095 功能描述:MOSFET -20V -5.5A P-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC602P-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDC602P Series 20 V 35 mOhms P-Channel 2.5 V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6
FDC6036P 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6036P_F077 功能描述:MOSFET Trans P-Ch 20V 5A 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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