參數(shù)資料
型號(hào)： FCP11N60F
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 836K
代理商： FCP11N60F
9
www.fairchildsemi.com
FCP11N60F/FCPF11N60F Rev. A
F
Mechanical Dimensions
(Continued)
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–
0.05
TO-220F
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCPF11N60F 600V N-Channel MOSFET
FCP4N60 600V N-Channel MOSFET
FCP7N60 600V N-Channel MOSFET
FCPF7N60 600V N-Channel MOSFET
FCPF11N60 SuperFET
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參數(shù)描述
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FCP11N60N_F102 制造商:Fairchild 功能描述:600V N-Channel MOSFET SupreMOS
FCP11N65 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FCP1206C123G 功能描述:薄膜電容器 .012uF 50V 2% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
FCP1206C123G-H1 功能描述:薄膜電容器 .012uF 50V 2% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
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