參數(shù)資料
型號(hào)： FCP11N60F
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 836K
代理商： FCP11N60F
5
www.fairchildsemi.com
FCP11N60F/FCPF11N60F Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FCP11N60F
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FCPF11N60F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
* N otes :
1. Z
(t) = 1.0
2. Duty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
C /W M ax.
single pulse
D=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
J
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
* N otes :
1. Z
(t) = 3.5
2. D uty F actor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
o
C /W M ax.
single pulse
D =0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
J
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCPF11N60F 600V N-Channel MOSFET
FCP4N60 600V N-Channel MOSFET
FCP7N60 600V N-Channel MOSFET
FCPF7N60 600V N-Channel MOSFET
FCPF11N60 SuperFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FCP11N60N 功能描述:MOSFET SupreMOS 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCP11N60N_F102 制造商:Fairchild 功能描述:600V N-Channel MOSFET SupreMOS
FCP11N65 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FCP1206C123G 功能描述:薄膜電容器 .012uF 50V 2% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
FCP1206C123G-H1 功能描述:薄膜電容器 .012uF 50V 2% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
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