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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ADSE-3A-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 RAMBUS, PBGA104 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-104 |
| 文件頁數(shù)： | 73/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE-3A-E |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
73
EDX5116ADSE
Figure 54
Equivalent Circ uits for Package Parasitic
GND Pin
SCK,CMD,RST Pin
SDI,SDO Pin
Pad
L
I,SI
C
I,SI
GND Pin
RQ Pin
Pad
L
I,RQ
R
I,RQ
C
I,RQ
RQ Pin
L
12,RQ
RQ Pin
L
12,RQ
CFM Pin
GND Pin
GND Pin
DQ Pin
Pad
R
I,DQ
C
I,DQ
Pad
R
I,DQ
C
I,DQ
DQN Pin
Z
PKG,DQ
/2
Z
PKG,DQ
/2
Pad
R
I,CFM
C
I,CFM
Pad
R
I,CFM
C
I,CFM
CFMN Pin
R
TERM,DQ
R
TERM,DQ
L
I,CFM
L
I,CFM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| EDZ22B | LED 5MM 563NM HI GRN WATER CLEAR |
| EDZ24B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| EDZ | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| EDZ10B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
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