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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ADSE-3A-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 RAMBUS, PBGA104 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-104 |
| 文件頁數(shù)： | 36/78頁 |
| 文件大小： | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE-3A-E |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
36
EDX5116ADSE
Figure 21
RQ S c an High (RQH) Register
Figure 22
RQ S c an Low (RQL) Register
Figure 23
Refresh Bank (REFB) Control Register
7
6
5
4
3
2
RQH[3:0]
1
0
Read/write register
RQH[7:0] resets to 00000000
2
RQH[3:0] - Latched value of RQ[11:8] in RQ wire test mode.
RQ Scan High Register
SADR[7:0]: 00000110
2
reserved
7
6
5
4
3
2
1
0
Read/write register
RQL[7:0] resets to 00000000
2
RQL[7:0] - Latched value of RQ[7:0] in RQ wire test mode.
RQ Scan Low Register
SADR[7:0]: 00000111
2
RQL[7:0]
7
6
5
4
3
2
1
0
Read/write register
REFB[7:0] resets to 00000000
2
reserved
BANK[2:0] - Refresh bank field.
This field returns the bank address for the next self-refresh oper-
ation when in Powerdown power state.
MBR[1:0] - Multi-bank and multi-row refresh control field.
00
2
- Single-bank refresh. 10
2
- Reserved
01
2
- Reserved 11
2
- Reserved
Refresh Bank Control Register
SADR[7:0]: 00001000
2
BANK[2:0]
MBR[1:0]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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| EDZ | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| EDZ10B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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參數(shù)描述 |
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