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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5108AJBG-8E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 7/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 589K |
| 代理商： | EDE5108AJBG-8E-E |
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EDE5108AJBG, EDE5116AJBG
Preliminary Data Sheet E1044E20 (Ver. 2.0)
7
AC Overshoot/Undershoot Specification
Parameter
Pins
Specification
Unit
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Command, Address,
CKE, ODT
0.5
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDD
DDR2-800
DDR2-667
Maximum undershoot area below VSS
DDR2-800
DDR2-667
0.5
V
0.66
V-ns
0.8
V-ns
0.66
V-ns
0.8
V-ns
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
CK, /CK
0.5
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDD
DDR2-800, 667
Maximum undershoot area below VSS
DDR2-800, 667
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
0.5
V
0.23
V-ns
0.23
V-ns
DQ, DQS, /DQS,
UDQS, /UDQS,
LDQS, /LDQS,
RDQS, /RDQS,
DM, UDM, LDM
0.5
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
0.5
V
Maximum overshoot area above VDDQ
DDR2-800, 667
Maximum undershoot area below VSSQ
DDR2-800, 667
0.23
V-ns
0.23
V-ns
Maximum amplitude
Overshoot area
Undershoot area
Volts (V)
Time (ns)
VDD, VDDQ
VSS, VSSQ
Overshoot/Undershoot Definition
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5116AJBG | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG-6E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG-8E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE702 | Serial LCD Interface IC |
| EDI8808CB | HIGH SPEED, LOW POWER 64K MONOLITHIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5108AJSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108GASA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5108GASA-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
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