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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5108AJBG-8E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 62/77頁 |
| 文件大小： | 589K |
| 代理商： | EDE5108AJBG-8E-E |
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EDE5108AJBG, EDE5116AJBG
Preliminary Data Sheet E1044E20 (Ver. 2.0)
62
NOP
CK
/CK
T0
T-1
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Tn
Command
DQS, /DQS
DQ
Auto precharge begins
out0
out2
out1
out3
Posted
READ
ACT
≥
tRP
≥
tRAS(min.)
A10 = 1
tRC (min.)
CL = 3
RL = 5
AL = 2
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank (tRAS lockout case)
(RL = 5, BL = 4 (AL = 2, CL = 3))
NOP
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DQS, /DQS
DQ
≥
tRC
Auto precharge begins
out0
out2
out1
out3
Posted
READ
ACT
NOP
≥
tRAS(min.)
tRP (min.)
CL = 3
AL = 2
A10 = 1
RL = 5
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank (tRP limit)
(RL = 5, BL = 4 (AL = 2, CL = 3, tRTP
≤
2tCK))
READ
ACT
/CK
CK
T0
T2
T4
T6
T8
T10
T1
T3
T5
T7
T9
T11
Command
DQS, /DQS
DQ
NOP
RL = 5
AL = 2
A10 = 1
CL = 3
≥
tRP
Auto precharge begins
out0 out1 out2 out3 out4 out5 out6 out7
≥
tRC
≥
tRAS (min.)
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank
(RL = 5, BL = 8 (AL = 2, CL = 3, tRTP
≤
2tCK))
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5116AJBG | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG-6E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG-8E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE702 | Serial LCD Interface IC |
| EDI8808CB | HIGH SPEED, LOW POWER 64K MONOLITHIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5108AJSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108GASA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5108GASA-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
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