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參數(shù)資料
| 型號： | COP8CDR9LVA8 |
| 廠商： | National Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 104/111頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU CMOS 8BIT 68-PLCC |
| 標準包裝： | 18 |
| 系列： | COP8™ 8C |
| 核心處理器： | COP8 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 連通性： | Microwire/Plus（SPI），UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 59 |
| 程序存儲器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 16x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 68-LCC（J 形引線） |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | *COP8CDR9LVA8 |
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SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
Reg/Data
Contents
Memory
Before
After
Memory Location
62 Hex
03 Hex
0005 Hex
B Pointer
05 Hex
06 Hex
Intermediate. The data for the operation follows the instruction opcode in program memory. In assembly
language, the number sign character (#) indicates an immediate operand.
Example:
Load Accumulator Immediate
LD A,#05
Reg/Data
Contents
Memory
Before
After
Accumulator
XX Hex
05 Hex
Immediate Short. This is a special case of an immediate instruction. In the “Load B immediate”
instruction, the 4-bit immediate value in the instruction is loaded into the lower nibble of the B register. The
upper nibble of the B register is reset to 0000 binary.
Example:
Load B Register Immediate Short
LD B,#7
Reg/Data
Contents
Memory
Before
After
B Pointer
12 Hex
07 Hex
Indirect from Program Memory. This is a special case of an indirect instruction that allows access to
data tables stored in program memory. In the “Load Accumulator Indirect” (LAID) instruction, the upper
and lower bytes of the Program Counter (PCU and PCL) are used temporarily as a pointer to program
memory. For purposes of accessing program memory, the contents of the Accumulator and PCL are
exchanged. The data pointed to by the Program Counter is loaded into the Accumulator, and
simultaneously, the original contents of PCL are restored so that the program can resume normal
execution.
Example:
Load Accumulator Indirect
LAID
Reg/Data
Contents
Memory
Before
After
PCU
04 Hex
PCL
35 Hex
36 Hex
Accumulator
1F Hex
25 Hex
Memory Location
25 Hex
041F Hex
5.19.3.2 Tranfer-of-Control Addressing Modes
Program instructions are usually executed in sequential order. However, Jump instructions can be used to
change the normal execution sequence. Several transfer-of-control addressing modes are available to
specify jump addresses.
92
Functional Description
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC68HC705JJ7CDW | IC MCU 8BIT 20-SOIC |
| C8051F583-IQ | IC 8051 MCU 128K FLASH 32-QFP |
| 67068-0000 | CONN USB RT ANG RECPT TYPE B BLK |
| P89LPC952FBD,157 | IC 80C51 MCU FLASH 8K 44-LQFD |
| LPC11C22FBD48/301, | IC MCU 32BIT 16KB FLASH 48LQFP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| COP8CFE9 | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:8-Bit CMOS Flash Microcontroller with 8k Memory, Virtual EEPROM, and 10-Bit A/D |
| COP8CFE9HLQ9 | 功能描述:IC MCU FLASH 8BIT 8K A/D 44LLP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:COP8™ 8C 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| COP8CFE9HVA9/NOPB | 功能描述:IC MCU EEPROM 8BIT 8K 44-PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:COP8™ 8C 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| COP8CFE9IMT9/NOPB | 功能描述:IC MCU EEPROM 8BIT 8K 48-TSSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:COP8™ 8C 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| COP8CJ20 WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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