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參數資料
| 型號： | BUK7108-40AIE |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel TrenchPLUS standard level FET |
| 中文描述： | N溝道TrenchPLUS標準電平場效應管 |
| 封裝： | BUK7108-40AIE<SOT426 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT426.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數： | 9/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | BUK7108-40AIE |
BUK7108-40AIE_3
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 19 February 2009
9 of 15
NXP Semiconductors
BUK7108-40AIE
N-channel TrenchPLUS standard level FET
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
T
j
(
°
C)
60
180
120
0
60
03aa32
2
3
1
4
5
V
GS(th)
(V)
0
max
typ
min
03aa35
V
GS
(V)
0
6
4
2
10
4
10
5
10
2
10
3
10
1
I
D
(A)
10
6
min
typ
max
03nn73
0
20
40
60
80
gfs
(S)
0
25
50
75
100
ID (A)
03nn76
0
1250
2500
3750
5000
C
(pF)
10-1
1
10
102
VDS (V)
Ciss
Coss
Crss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK714R1-40BT | N-channel TrenchPLUS standard level FET |
| BUK7207-30B | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| BUK7208-40B | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| BUK7210-55B | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| BUK7212-55B | N-channel TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUK7108-40AIE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7108-40AIE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7109-75AIE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchPLUS standard level FET |
| BUK7109-75AIE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7109-75AIE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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