參數(shù)資料
型號： BUK7108-40AIE
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchPLUS standard level FET
中文描述： N溝道TrenchPLUS標準電平場效應管
封裝： BUK7108-40AIE<SOT426 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT426.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： BUK7108-40AIE
BUK7108-40AIE_3
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 19 February 2009
12 of 15
NXP Semiconductors
BUK7108-40AIE
N-channel TrenchPLUS standard level FET
7.
Package outline
Fig 18. Package outline SOT426 (D2PAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT426
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface-mounted package (D2PAK); 5 leads (one lead cropped)
SOT426
e
e
e
e
E
b
A1
A
A1
Lp
b
c
D
max.
e
A
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
E
11
mm
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
2.90
2.10
HD
15.80
14.80
Q
2.60
2.20
10.30
9.70
D1
1.60
1.20
1.70
05-03-09
06-03-16
1
3
2
4
5
mounting
base
D1
HD
D
Q
Lp
c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK7207-30B N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7208-40B N-channel TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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BUK7108-40AIE,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7109-75AIE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7109-75AIE /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7109-75AIE,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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