參數(shù)資料
型號： BUK7108-40AIE
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchPLUS standard level FET
中文描述： N溝道TrenchPLUS標準電平場效應管
封裝： BUK7108-40AIE<SOT426 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT426.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： BUK7108-40AIE
BUK7108-40AIE_3
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 19 February 2009
10 of 15
NXP Semiconductors
BUK7108-40AIE
N-channel TrenchPLUS standard level FET
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 14. Gate-source voltage as a function of charge;
typical values
Fig 15. Drain-sense current ratio as a functionof
gate-source voltage; typical values
Fig 16. Drain-sense current on-state resistance as a
function of gate-source voltage; typical values
03nn74
0
25
50
75
100
0
2
4
6
8
VGS (V)
ID
(A)
175
°
C
Tj = 25
°
C
03nn77
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
QG (nC)
VGS
(V)
VDS = 14 V
32 V
03nn79
400
450
500
550
600
4
8
12
16
20
VGS (V)
ID/Isense
03nn78
0
2
4
6
4
8
12
16
20
VGS (V)
RD(Is)on
(
Ω
)
I
sense
=
25
mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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