參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7108-40AIE
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchPLUS standard level FET
中文描述： N溝道TrenchPLUS標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管
封裝： BUK7108-40AIE<SOT426 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT426.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 4/15頁
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代理商： BUK7108-40AIE
BUK7108-40AIE_3
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 19 February 2009
4 of 15
NXP Semiconductors
BUK7108-40AIE
N-channel TrenchPLUS standard level FET
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
T
mb
(
°
C)
0
200
150
50
100
03na19
40
80
120
P
der
(%)
0
03ni93
0
40
80
120
0
50
100
150
200
ID
(A)
Capped at 75 A due to package
Tmb (
°
C)
03nl55
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
Limit RDSon = VDS / ID
1 ms
tp = 10
μ
s
100
μ
s
Capped at 75 A due to package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK7207-30B N-channel TrenchMOS standard level FET
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BUK7210-55B N-channel TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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BUK7108-40AIE,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7109-75AIE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchPLUS standard level FET
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BUK7109-75AIE,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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