參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7108-40AIE
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchPLUS standard level FET
中文描述： N溝道TrenchPLUS標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管
封裝： BUK7108-40AIE<SOT426 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT426.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 8/15頁
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代理商： BUK7108-40AIE
BUK7108-40AIE_3
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 19 February 2009
8 of 15
NXP Semiconductors
BUK7108-40AIE
N-channel TrenchPLUS standard level FET
Fig 5.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
03nn70
0
100
200
300
400
0
2
4
6
8
10
VDS (V)
ID
(A)
8
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
8.5
Label is VGS (V)
9
10
20
03nn72
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
VGS (V)
RDSon
(
Ω
)
03nn71
4
8
12
16
20
0
100
200
300
400
ID (A)
RDSon
(m
Ω
)
Label is VGS (V)
5.5
6
6.5
7
8
7.5
10
20
T
j
(
°
C)
60
180
120
0
60
03ni30
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
a
0
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PDF描述
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