參數(shù)資料
型號： BUK652R0-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/15頁
文件大小： 183K
代理商： BUK652R0-30C
BUK652R0-30C
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Product data sheet
Rev. 01 — 6 September 2010
9 of 15
NXP Semiconductors
BUK652R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 14. Input, output and reverse transfer capacitance
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 15. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values
003aae241
0
2
4
6
8
10
0
60
120
180
240
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 24V
14V
003aae009
10
2
10
3
10
4
10
5
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
oss
C
rss
003aae243
0
20
40
60
80
100
I
S
(A)
0
0.5
1
1.5
V
SD
(V)
Tj = 25
°
C
Tj = 175
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK652R1-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R6-40C N-channel TrenchMOS FET
BUK653R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK653R3-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
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BUK652R1-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78
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BUK652R1-30C127 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BUK652R3-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
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