參數(shù)資料
型號(hào)： BUK652R0-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
文件大?。?/td> 183K
代理商： BUK652R0-30C
BUK652R0-30C
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Product data sheet
Rev. 01 — 6 September 2010
4 of 15
NXP Semiconductors
BUK652R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 1.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
Fig 2.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
003aae232
0
50
100
150
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mb
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V
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(V)
Limit R
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DS
/ I
D
DC
100 ms
10 ms
1 ms
100
μ
s
t
p
=10
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK652R1-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R6-40C N-channel TrenchMOS FET
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BUK653R3-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
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