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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK652R0-30C |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| 中文描述： | 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 183K |
| 代理商： | BUK652R0-30C |
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BUK652R0-30C
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Product data sheet
Rev. 01 — 6 September 2010
10 of 15
NXP Semiconductors
BUK652R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 16. Drain-source on-state resistance as a function of drain current; typical values
003aae238
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
4.5
5
10
3.8
V
GS
(V) = 3.6
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| BUK652R1-30C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78 |
| BUK652R1-30C,127 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK652R1-30C127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUK652R3-40C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes |
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