參數(shù)資料
型號(hào)： BUK652R0-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大小： 183K
代理商： BUK652R0-30C
BUK652R0-30C
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Product data sheet
Rev. 01 — 6 September 2010
12 of 15
NXP Semiconductors
BUK652R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
8.
Revision history
Table 7.
Document ID
BUK652R0-30C v.1
Revision history
Release date
20100906
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK652R1-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R6-40C N-channel TrenchMOS FET
BUK653R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK653R3-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK652R0-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK652R1-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78
BUK652R1-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK652R1-30C127 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BUK652R3-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
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