參數(shù)資料
型號(hào): BUJD203A
廠(chǎng)商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: NPN power transistor with integrated diode
中文描述: 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 9/14頁(yè)
文件大小: 317K
代理商: BUJD203A
BUJD203A
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Product data sheet
Rev. 02 — 2 December 2010
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NXP Semiconductors
BUJD203A
NPN power transistor with integrated diode
Fig 14. Test circuit for inductive load switching
Fig 15. Switching times waveforms for inductive load
001aab991
V
CC
L
C
DUT
L
B
I
Bon
V
BB
001aab992
I
C
I
B
90 %
t
off
I
Bon
t
s
t
f
t
t
I
Boff
I
Con
10 %
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PDF描述
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BUJD203AD 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 4A 850V DPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 850V, DPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 850V, DPAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:425V; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:21; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUJD203AD,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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BUJD203AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2