參數(shù)資料
型號： BUJD203A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大小： 317K
代理商： BUJD203A
BUJD203A
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Product data sheet
Rev. 02 — 2 December 2010
7 of 14
NXP Semiconductors
BUJD203A
NPN power transistor with integrated diode
[1]
Measured with half-sine wave voltage (curve tracer)
t
f
fall time
I
C
= 2.5 A; I
Bon
= 0.5 A; I
Boff
= -0.5 A;
R
L
= 75
; T
j
= 25 °C; resistive load;
see
Figure 12
; see
Figure 13
I
C
= 2 A; I
Bon
= 0.4 A; V
BB
= -5 V;
L
B
= 1 μH; T
j
= 100 °C; inductive load;
see
Figure 14
; see
Figure 15
I
C
= 2 A; I
Bon
= 0.4 A; V
BB
= -5 V;
L
B
= 1 μH; T
j
= 25 °C; inductive load;
see
Figure 14
; see
Figure 15
-
0.3
0.35
μs
-
-
0.12
μs
-
0.03
0.06
μs
Table 6.
Symbol
Characteristics
…continued
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Fig 6.
Test circuit for collector-emitter sustaining
voltage
Fig 7.
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage test waveform
Fig 8.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values
Fig 9.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
001aab987
horizontal
1
Ω
300
Ω
6 V
vertical
oscilloscope
50 V
100
Ω
to 200
Ω
30 Hz to 60 Hz
001aab988
V
CE
(V)
min
V
CEOsus
I
C
(mA)
10
100
250
0
I
B
(A)
10
2
10
1
10
1
001aab995
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
V
CEsat
(V)
0
I
C
= 1 A
2 A 3 A
4 A
001aab997
V
CEsat
(V)
I
C
(A)
10
1
10
1
0.2
0.1
0.3
0.4
0.5
0
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