參數(shù)資料
型號(hào)： BUJD203A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大?。?/td> 317K
代理商： BUJD203A
BUJD203A
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Product data sheet
Rev. 02 — 2 December 2010
10 of 14
NXP Semiconductors
BUJD203A
NPN power transistor with integrated diode
7.
Package outline
Fig 16. Package outline SOT78 (TO-220AB)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT78
SC-46
3-lead TO-220AB
SOT78
08-04-23
08-06-13
Notes
1. Lead shoulder designs may vary.
2. Dimension includes excess dambar.
UNIT
A
mm
4.7
4.1
1.40
1.25
0.9
0.6
0.7
0.4
16.0
15.2
6.6
5.9
10.3
9.7
15.0
12.8
3.30
2.79
3.8
3.5
A
1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB
0
5
10 mm
scale
b
b
1(2)
1.6
1.0
c
D
1.3
1.0
b
2(2)
D
1
E
e
2.54
L
L
1(1)
L
2(1)
max.
3.0
p
q
3.0
2.7
Q
2.6
2.2
D
D
1
q
p
L
1
2
3
L
1(1)
b
1(2)
(3
×
)
b
2(2)
(2
×
)
e
e
b(3
×
)
A
E
A
1
c
Q
L
2(1)
mounting
base
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUJD203AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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