參數(shù)資料
型號： BUJD203A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/14頁
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代理商： BUJD203A
BUJD203A
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Product data sheet
Rev. 02 — 2 December 2010
4 of 14
NXP Semiconductors
BUJD203A
NPN power transistor with integrated diode
Fig 3.
Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature
1) P
tot
maximum and P
tot
peak maximum lines
2) Second breakdown limits
3) I = Region of permissable DC operation
II = Extension for repetitive pulse operation
III = Extension during turn-on in single transistor converters
provided that R
BE
≤
100
and t
p
≤
0.6
μ
s
Forward bias safe operating area for T
mb
≤
25 °C
Fig 4.
T
mb
(
°
C)
0
160
120
40
80
001aab993
40
80
120
P
der
(%)
0
001aac001
10
1
10
2
1
10
2
I
C
(A)
10
3
V
CEclamp
(V)
1
10
3
10
2
10
(1)
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
DC
I
(3)
t
p
= 20
μ
s
duty cycle = 0.01
50
μ
s
II
(3)
III
(3)
(2)
I
CM(max)
I
C(max)
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