參數(shù)資料
型號(hào)： BUJD203A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大小： 317K
代理商： BUJD203A
BUJD203A
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 2 December 2010
3 of 14
NXP Semiconductors
BUJD203A
NPN power transistor with integrated diode
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
CESM
V
CBO
V
CEO
I
C
Parameter
collector-emitter peak voltage
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current
Conditions
V
BE
= 0 V
I
E
= 0 A
I
B
= 0 A
DC; see
Figure 1
; see
Figure 2
;
see
Figure 4
see
Figure 1
; see
Figure 2
; see
Figure 4
DC
Min
-
-
-
-
Max
850
850
425
4
Unit
V
V
V
A
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
peak collector current
base current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
-
-
-
-
-65
-
8
2
4
80
150
150
A
A
A
W
°C
°C
T
mb
≤
25 °C; see
Figure 3
Fig 1.
Reverse bias safe operating area
Fig 2.
Test circuit for reverse bias safe operating area
V
CEclamp
(V)
0
1000
800
400
600
200
001aac000
4
6
2
8
10
I
C
(A)
0
001aab999
DUT
L
C
L
B
I
Bon
V
BB
V
CC
V
CL(CE)
probe point
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PDF描述
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